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阻垢机理:阻垢剂的官能团对水垢成分,阳离子具有螯合力,封锁阳离子,抑 制其与阴离子的反应而防止结垢,同时,阻垢剂对晶核和晶体的活性点有特殊吸附能力,抑 制其生长,故只需投加较低浓度就能显示出效果。福建阻垢剂的这种化学计算当量作用,称为低限效应。无机垢的形成过程可分为下面3个步骤:
●形成过饱和溶液
●生成晶核
●晶核成长,形成晶体。
这3个步骤中有一个遭到破坏,结垢过程即被减缓。阻垢剂的作用就是有效阻止这些步骤中的一个或几个,以达到阻垢目的。阻垢剂干扰晶体生长的机理有如下几种说法:
1.螯合增溶作用:螯合增溶作用是指阻垢剂与水中Ca2+、Mg2+、Sr2+、Ba2+等高价金属离子络合成稳定的水溶性螯合物,使水中游离态钙、镁离子的浓度相应降低,这样就好像使CaCO3等物质的溶解度增大了,本来会析出溶液的CaCO3等物质实际上没有形成沉淀。所谓阈限效应阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢剂,就能稳定溶液中大量的结垢离子,它们之间不存在严格的化学计量关系,当阻垢剂的量增至过大时,其稳定阻垢作用并无明显改进。
2.晶格畸变作用:晶体正常形成的过程是微粒子(离子、原子或分子)根据特定的晶格方式进行有规则的排列,从而形成外形规则、熔点固定、致密坚固的物质结构。所谓晶格畸变是指在晶体生长的过程中,常常会由于晶体外界的一些原因,而使得晶体存在空位、错位等缺陷或形成镶嵌构造等畸变,其结果使同一晶体的各个晶面发育不等。晶体中这种局部组分的差异会导致晶体内部的应力,晶体本身与镶嵌物质膨胀系数的不同也会导致应力。这些应力使晶体不稳定。当环境发生某些变化时,大晶体便会碎裂成小晶体。
阻垢剂分子由于吸附在位于晶体活性生长点的晶格点阵上,使晶体不能按照晶格排列正常生长,使晶体发生畸变,使晶体的内部应力增大导致晶体破裂,从而防止微晶沉积成垢,达到阻垢目的。
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